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集成电路
IRS2181STRPBF半桥栅极驱动器IC非反相8-SOIC
描述
IRS2181/IRS1814是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。
功能
•为自举操作而设计的浮动通道
•完全工作至+600 V
•耐受负瞬态电压，dV/dtimmunity
•栅极驱动电源范围从10 V到20 V
•两个通道的欠压锁定
•3.3 V和5 V输入逻辑兼容•两个信道的匹配传播
延迟•
逻辑和电源接地+/-5 V偏移
•较低的di/dt栅极驱动器，具有更好的抗噪性•
输出源/汇电流能力1.4 A/1.8 A
•符合RoHS
IRS2181STRPBF
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类别 |
集成电路（IC） 电源管理（PMIC） 闸门驱动器 |
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受驱动配置 |
半桥 |
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通道类型 |
独立的 |
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驾驶员数量 |
2. |
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闸门类型 |
IGBT，N沟道MOSFET |
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电压-电源 |
10伏~20伏 |
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逻辑电压-VIL、VIH |
0.8伏、2.5伏 |
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电流-峰值输出（源、汇） |
1.9A、2.3A |
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输入类型 |
非反转 |
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高压侧电压-最大值（自举） |
600伏 |
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上升/下降时间（典型值） |
40纳秒，20纳秒 |
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工作温度 |
-40℃~150℃（TJ） |
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安装类型 |
表面贴装 |
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包装/箱 |
8-SOIC（0.154“，3.90mm宽） |
