• 描述

HIP4086ABZT半桥栅极驱动器IC反相非反相24-SOIC

HIP4086和HIP4086A(称为HIP4086/A)是三相N沟道MOSFET驱动器。这两个部分都专门针对PWM电机控制。这些驱动器具有灵活的输入协议,用于驱动每个可能的开关组合。对于开关磁阻应用,用户甚至可以忽略直通保护。

HIP4086/A具有广泛的可编程死区时间(0.5µs至4.5µs),这使其非常适用于通常用于电机驱动的低频(高达100kHz)。

HIP4086和HIP4086A之间的唯一区别是HIP4086A禁用了内置电荷泵。这在需要非常安静的EMI性能(电荷泵以10MHz运行)的应用中非常有用。HIP4086的优点是内置电荷泵允许高端驱动器无限长的接通时间。

为了确保高压侧驱动器启动电容器在接通之前充满电,当首次施加VDD时,激活可编程自举刷新脉冲。当激活时,刷新脉冲接通所有三个低侧桥FET,同时保持三个高侧桥FET,以对高侧启动电容器充电。刷新脉冲清除后,正常操作开始。

HIP4086/A的另一个有用功能是可编程的低电压设定点。设定值范围为6.6V至8.5V。

 

特征

•在三相桥配置中独立驱动6个N沟道MOSFET

•自举电源最大电压高达95VDC,偏置电源为7V至15V

•1.25A峰值关断电流

•用户可编程停滞时间(0.5µs至4.5µs)

•自举和可选电荷泵保持高侧驱动器偏置电压。

•可编程引导刷新时间

•驱动1000pF负载,典型上升时间为20ns,下降时间为10ns

•可编程低电压设定点

 

应用

•无刷电机(BLDC)

•三相交流电机

•开关磁阻电机驱动

•电池驱动车辆

•电池供电工具



HIP4086ABZT

类别

集成电路(IC)电源管理(PMIC)门驱动器

受驱动配置

半桥

通道类型

3相

驾驶员数量

6.

闸门类型

N沟道MOSFET

电压-电源

7伏~15伏

逻辑电压-VIL、VIH

1伏、2.5伏

电流-峰值输出(源、汇)

500毫安,500毫安

输入类型

反转,非反转

高压侧电压-最大值(自举)

95伏

上升/下降时间(典型值)

20纳秒,10纳秒

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装

包装/箱

24-SOIC(0.295“,7.50mm宽)




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