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半导体
IRF9540NPBF P通道100 V 23A（Tc）140W（Tc）通孔TO-220AB
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和建议的器件设计相结合，为设计人员提供了一种适用于广泛应用的极其高效和可靠的器件。
TO-220封装是所有商业工业应用的首选，功耗水平约为50瓦。TO-220的低热电阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛接受。
IRF9540NPBF规范
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FET类型 |
P通道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏极到源极电压（Vdss） |
100伏 |
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电流-连续排放（Id）25°C |
23A（Tc） |
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驱动电压（最大Rds开启，最小Rds开启） |
10伏 |
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Rds开启（最大）Id，Vgs |
117mOhm 11A，10V |
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Vgs（th）（最大）Id |
4伏250µA |
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栅极电荷（Qg）（最大）Vgs |
97摄氏度10伏 |
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Vgs（最大值） |
±20伏 |
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输入电容（Cis）（最大）Vds |
1300 pF 25伏 |
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FET特性 |
- |
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功耗（最大值） |
140W（Tc） |
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工作温度 |
-55℃~150℃（TJ） |
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安装类型 |
通孔 |
